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HVLDMOS相关论文
包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型
高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.......
期刊
器件结构
高压LDMOS
负阻效应
子电路模型
device structure
HVLDMOS
negative differential resista
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