负阻效应相关论文
为了便于气体放电等离子体的起燃，驱动恒流源需要较高的开路电压，同时因气体放电具有负阻效应，起燃后维持放电所需的电压远小于起燃电......
从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析.结果认为,负阻摆幅的大小对小电......
期刊
本文通过静电作用前后电阻变化规律、Ⅰ-Ⅴ特性曲线、发火电压及临界爆发电流等手段分析了半导体桥火工品的静电作用特性。利用电......
由于高压器件有很多区别于标准MOS器件的特点，BSIM3模型用于VLSI中高压轻掺杂漏MOS器件(HVLDMOS)的模型存在不足。本论文主旨是对VL......
本文从材料制备工艺、结构分析、外场诱导等方面对钙钛矿结构锰氧化合物特大磁电阻材料进行了多方的实验研究和初步的理论分析,取......
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度......
针对目前UWB信号设计的现状,通过比较与分析,研究了一种基于负阻效应可控的UWB信号产生的微波电路。通过仿真与实验对其进行了验证......
对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明,重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质.并运用......
研究了存在于聚合物发光二极管(PLED)中的一种可逆的"负阻"现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后,其电流和发光......
利用二维ensemble-MonteCarlo方法模拟了直流偏置的半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关在飞秒激光脉冲触发下的两种工作模式.结果表明:......
桥式滤波电路极强的滤波作用很早兢得到广泛的应用,其吸收深度可以趋向于零,即电路Q值可以趋向无限大的事实却长期得不到很好的理......
利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区，制备出NPN晶体管样品。实验结果与理论分析表明：Ga的线性缓变分布和SiO2薄......
用两只同极性的晶体管,设计成一个两端负阻电路,无须外加任何LC元件或自激,靠其内反馈就能产生可靠、稳定的周期脉冲振荡波形。据......
本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs（SI-GaAs）光电导开关基于Anston等效电路亚皮秒传输特性。从载流子在开关体内的......
本文对半超结逆导IGBT这一新型结构的导通机理进行分析。通过SilvacoTCAD软件仿真验证,半超结RC-IGBT的耐压能力、正反向导通能力......
从等温和非等温两个角度，在250K～573K（-23℃～300℃）范围内，对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高......
氧化锌具有良好电子传输性和高透光性,ZnO作为电子传输层已被广泛应用于聚合物太阳能电池。但采用溶胶凝胶法和真空镀膜制备ZnO电......
高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.......
利用传统的电子陶瓷工艺制备Li2CO3和Na2CO3混合掺杂的WO2陶瓷样品。Li2CO3的摩尔分数从2％到0，Na2CO3的摩尔分数从0到2％。测量样品的......
当一个电子的能量低于势垒高度时,它仍可以隧穿通过势垒.在一定条件下,双势垒结构中电子的隧穿几率甚至可以接近1.利用这种共振隧......
半导体光电导开关(Photoconductive semiconductor switches)是利用超短脉冲激光器与光电导体(如：Si,GaAs,InP等)相结合形成的一类......
针对我国发展自主知识产权平板显示器件的迫切需要,以研制满足大屏幕高清平板显示需要的电子源为目标,本论文提出并实现了四种二极......
学位
半导体光电导开关是利用超快激光器与光电导体（例如：Si、InP、GaAs）相结合形成的一类新型器件。20世纪90年代初，随着超快激光脉冲技术......
实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注。实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优......
在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。NIC(Negative Impedance Co......
用溶液法制备了CuTCNQ纳米线。用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）表征了样品的结构及形貌,用拉曼光谱（Raman）研究了CuTC-NQ纳米线的......
基于双极晶体管(BJT)结构的静电放电(ESD)保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效......
电容传感器灵敏度较低,特别是在传感器本体的初始电容量较大、而测量过程中的增量电容量又较小时,系统的相对灵敏度常常会低至无法......
常规SOI基阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA-LIGBT)提高了LIGBT的关断速度,但常规SOI SA-LIGBT存在负阻效应。而负阻效应增大了SA-......
晶体管可以说它是微电子中非常重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。晶体管的种类很多，其中高反压晶体管在国民生产中发......
