H含量相关论文
氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。介绍了H对薄膜稳定性影响......
采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H......
根据挤压坯料扩氢退火理论,试验优化了P91、P92坯料的扩氢退火工艺曲线,退火时间明显下降,坯料退火后的H含量大幅降低,低倍无白点......