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AlN于19世纪60年代被人们发现,可作为电子薄膜材料,并具有广泛的应用。目前,制备AlN薄膜主要方法是有化学气相沉积法,金属有机化合物化......
无掺杂的ZnO为n型材料,p型ZnO薄膜的制备最近成为了人们研究的焦点。因为自身缺陷的存在,比如氧空位、锌填隙原子,使得低阻值的p型ZnO......
文章基于三管嵌套式轴对称主流ICP炬管结构模型,模拟研究了负载线圈功率和采样锥孔径对ICP气体温度分布和流场特性的影响。研究结......