采用中频双极脉冲(IFBP)和射频(RF)磁控溅射分别在(100)取向的单晶Si衬底上沉积C掺杂h-BN(h-BN∶C)薄膜,随后在95%Ar+5%H2混合气氛......

六方氮化硼（h-BN）作为一种类石墨烯Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,拥有众多良好的物理化学性能。而在进行选择性掺杂后,h-BN将具有优异的导电、......