高纯氧加少量HCl气氛中进行CZSi的IG处理,对抑制硅片表面热氧化层错和钝化Na~+等有良好效果,而对洁净区的形成与厚度影响不大。......

利用中子嬗变掺杂(NTD)制备的CZSi(NTDCZSi)中大量存在的辐照缺陷在高温短时间(1100℃,4～8h)退火就可以完成NTDCZSi的IG处理,与CZSi......