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ITO电流扩展层相关论文
InGaN/GaN多量子阱太阳电池的器件研制
使用InGaN/GaN多量子阱作为有效吸收区的p-i-n型太阳电池是Ⅲ族氮化物基太阳电池的研究方向之一。然而,由于外延生长的Ⅲ族氮化物......
学位
InGaN/GaN
多量子阱太阳电池
ITO电流扩展层
V-pit密度
芯片尺寸
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聚光特性
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