芯片尺寸相关论文
在智能化、微型化飞速发展的时代中,微显示技术已经融入了现代人的生活,混合现实（MR）、虚拟现实（VR）以及增强现实（AR）在未来更有着巨大的......
随着科学技术的发展，偏振光已经广泛应用于影视、通信、生物医学等领域。和光的其它标量参数如功率和波长相比，偏振反映了光场的矢量......
把更多的功能和更多的门电路集成在一块芯片上的能力——无论你将这块芯片称为SoC(单片系统)、ASIC(专用集成电路)还是称为一块大......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机开发了All-Pass/BPF切换型MMIC移相器。该MMIC移相器工作于C波段,具有45°移......
据《i-Micronews》May25th.2010报道,德国Fraunhofer大学采用390μm的SiC衬底开发了Ka波段AlGaN/GaN HEMT大功率MMIC。该HPA MMIC......
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本NEC电子器件公司采用标准90 nm CMOS工艺成功开发了60 GHz的毫米波相控阵发射机。发......
基于硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术的3D IC是一种系统级架构的新方法,内部含有多个平面器件层的叠层,并经由穿透硅通孔在垂......
本文提出了一种新的用于半桥应用的高可靠性1200V高压集成电路(1200VHVIC)。它适合于驱动工业级逆变器系统中的功率MOSFET/IGBT模......
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应......
介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显......
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软......
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两......
设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功......
报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设......
量子计算是半导体芯片尺寸突破经典物理极限的必然产物,是后摩尔时代具有标志性的技术.利用半导体量子点中电子的量子特性编码量子......
笔者在刚刚于西班牙巴塞罗那结束的国际固态传感器大会Transducers 2013上担任了压力传感器Session的主席,对现场七个口头报告有了......
近些年来，集成无线通信芯片被广泛应用于导航定位、物联网、移动终端、智能家居等多个行业，衍生出多样的通信协议。为了顺应市场的需......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
可配置式和可延展式特殊应用处理器的应用开创了新的设计大道,既可以快速、轻易的发展及打造出新的协议与标准,又可以具有经济的芯......
1 技术创新性rn集成电路圆片级芯片封装技术(WLCSP)及其产品属于集成创新,是江阴长电先进封装有限公司结合了铜柱凸块工艺技术及公......
在准备写本期专题“IC设计服务”之前,我采访了国内一些主要的IC设计服务公司负责人,请他们从公司发展策略、中国IC设计业现状以及......
IP摄像机的出现预示着视频监控系统中模拟部分的路径将越来越短。后端处理技术在逐步前移,直接在摄像机中搭载视频分析硬件模块成......
移动通信属我国战略性新兴产业,是我国通过自主创新成为具有国际竞争力的少数几个领域之一,也是深化改革,建立国家自主创新体系的......
随着CMOS工艺的进展和结构设计的改进，为了缩小芯片尺寸，降低成本，集成多种无线功能已经成为趋势。CSR公司认为，未来3C产品将围绕着“......
近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正......
前言Ｕｌｔｒａ ＣＳＰＴＭ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ开发的一种封装技术术，特别适用于各类应用的定制化产品，如计算机、外设、通信、网络、以及其它多种小型、高密度产品。......
不久前，ROHM面向需要大功率（高电压×大电流）的通信基站和工业设备领域，开发出耐压高达80V、电流最大3A的MOSFET内置型DC/DC转换器——......
IC载板大厂景硕今年第3季将面临竞争对手揖斐电（Ibiden）扩产及价格严峻挑战，明年芯片尺寸覆晶封装（FC—CSP）载板市占率恐将下调5%到10%......
提要：“电子大脑”所依赖的是学习功能而不是编程，它通过纳米级低能耗类突触器件等技术的研究开发，实现模拟人脑的微型电路功能 近......
为揭示微重力环境下加热表面尺寸对气泡动力学行为的影响,通过对比实验研究了不同热流密度条件下两种尺寸芯片表面核态沸腾过程中......
CEVA公司和GNSS解决方案供应商CellGuide宣布，合作为CEVA—XC通信处理器提供基于软件的GPS解决方案。通过利用CellGuide的GPS／GLoNAS......
下面将以CSP的制作流程图的形式来介绍薄膜工艺在CSP制造中的作用。CSP制造中的薄膜工艺CSP(Chip Scale Package或Chip Size Packa......
随着芯片尺寸不断缩小,3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因,其可能......
将300μm×300μm LED芯片阵列化为间隔为20μm的3×3个80μm×80μm的子单元,阵列化后,总饱和光输出功率是未阵列化前的5.19倍,最......
1984年,本科毕业于西安交通大学,又在骊山微电子研究所攻读研究生,在读研期间,深切感受到我国半导体行业与世界先进水平的差距。我......
泰科电子旗下的Raychem电路保护部宣布推出符合有害物质限制指令(RoHS)的缓熔表面贴装保险丝.该系列产品严格按照行业标准的1206芯......
发光二极管(LED)芯片尺寸极大地影响着LED芯片内部的电流密度分布,通过研究LED芯片尺寸与电流分布的关系,有利于优化LED芯片设计,......
