InAlN三元合金材料是制备高电子迁移率晶体管（HEMT）的理想材料,其a轴晶格常数在In N a轴晶格常数（0.3533 nm）和Al N a轴晶格常数（0.3112......

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量 InAlN薄膜，并对其结构及表面特性进行了研究。结果表明：X射线衍射（20-......

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量InAlN薄膜,并对其结构及表面特性进行了研究.结果表明:X射线衍射(20......