InGaAs薄膜相关论文
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3～ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计......
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为......
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法，制备发射光近于１．３－１．５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓ薄膜，用能谱分析仪进行薄膜成分分析；分光不镀计和单色仪测量薄膜的透射......
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在G......
