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Ga_(1-x)In_xAs/GaInAsP/InP张应变层量子阱的增益特性
在运用变形计算法计算了Ga1-xInxAs/GaInAsP/InP应变量子阱子能带结构的基础上,综合考虑了子能带耦合效应对价带子能带与跃迁矩阵元的作用及状态密度对增益......
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