InxAl1-xN系列薄膜相关硕士博士期刊学术论文

InxAl1-xN作为第三代的半导体材料,由于其具有禁带宽度在0.76.2 eV的范围内连续可调,临界击穿电压高、抗辐射能力以及化学稳定性好......