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InAs/GaSb量子阱的能带结构及光吸收
采用八能带K-P理论以及有限差分方法,研究了沿[001]方向生长的InAs/GaSb二类断带量子阱体系的能带结构、波函数分布和对[110]方向......
期刊
量子阱
InAs/GaSb
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第一激发态
能带结构
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有限差分方法
K-P理论
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