目前实验证明，由分子束外延生长的应变层ＧａＩｎＡｓ渐变折射率分别限制异质结（ＧＲＩＮ　ＳＣＨ）量子阱激光器，其性能相当于或优于ＯＭＶＰＥ生长的激光器。提高ＭＢＥ生长的激光......

本文从理论上分析了实现ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器高光功率转换效率，高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面乐功率密度......