应变量子阱相关论文
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。......
1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积......
利用Model-solid及Harrison两种模型计算不同势垒材料的InGaAs量子阱的能带偏置比，选择出适合于计算InGaAs量子阱能带偏置比的模型......
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Lutti......
本文对低维半导体结构的设计、可控性制备及性质进行了研究。主要内容如下： 1、以Fick扩散方程为基础，对多周期超晶格结构中的Al......
光泵外腔面发射半导体激光器综合了面发射半导体激光器能输出TEM模圆形光斑的优点和光泵固体激光器能输出高功率的优点，还可方便地......
本论文"GaAs基低维应变异质结和多周期结构的MBE制备及特性研究”的内容包括:MBE系统原理与外延材料的表征方法、InGaAs/GaAs多量......
近年来，光泵浦半导体激光器在远程通信、生物医学诊断、照相洗印等领域得到了成功的应用。光泵浦半导体激光器之所以受到大家的青睐......
本文研究了应用MBE技术生长InGaAs/GaAs应变量子阱作为OPS-VECSEL的有源区，从MBE设备稳定性，结构设计，生长实验，性能测试，以及生长停顿......
用6×6Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构,分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征值......
采用低压金属有机化学气相外延设备进行了 1 3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究 .通过x射线......
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术......
报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应......
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表......
从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的......
采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变......
对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的......
在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QC......
本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有......
研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As／GaAs应变量子阱的PL谱，结果表明，生长温度越高，In偏析和In-Ga互混越严重，同时，导致更多的In......
进行了可用于太阳电池的应变量子阱的退火性质研究，并对传统数据分析方法进行了改进。提出一种新的应变量子阱热退火扩散激活能的拟......
大功率半导体激光器,有一个很重要的问题就是散热问题.为了制作出高质量的半导体激光器,我们必须做好激光器材料选取与结构设计.本......
本文采用波长都是808nm，有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器，针对其热特性做了对比实验．结果发现AlInGaAs应变量子阱......
讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系.由克龙尼克-潘纳模型计算了GaInAs/GaA......
制备了大功率实折射率GaInP／AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器．所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外......
讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性（带阶）的影响.给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的......
为了研究ICP刻蚀对InAsP／InP应变多量子阱的损伤情况，用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP／InP应变多量子阱结构．采用感应......
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInG......
利用变温光致发光（PL）研究了In0.182Ga0．818As／GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300K温度范围内的发光特性。随着温度r的升高，PL峰位向低能......
系统的能带工程应包括对能带结构、带隙和带边不连续性的研究，在量子阱能带结构计算当中，带边不连续能量直接影响计算的结果，如果带边......
详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由......
期刊
作为光通信最广泛使用的光电器件,低成本,高温无致冷工作要求长波长半导体激光器具有尽可能低阈值电流和优良的温度特性。半导体光......
近十年来,诸如AIN、GaN和InN等闪锌矿和纤锌矿Ⅲ-族氮化物半导体材料在发光二极管和激光二极管等器件制备方面的应用日益丰富,其低......
光泵浦VECSELs是一种以半导体增益结构材料为激光介质的半导体激光泵浦半导体增益介质的全固态激光器。它结合了半导体泵浦固体激......
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的......
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器.其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长......
运用k·p法分析了半导体的能带结构。基于Luttinger-Kohn模型,对量子阱结构半导体的能带结构进行了求解;而且对考虑价带混合效......
介绍了光电子技术若干前沿研究领域的现状并分析了它们的发展趋向。...
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构，采用分子柬外延进行激光器材料的外延生长，材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高......
报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱......
利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱、超晶格和ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料，利用７７Ｋ光荧光（ＰＬ）测量这一应变量子阱和......
本文从Henry提出的基本理论出发,考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子的吸收三方面因素对线宽展宽因子(α因子)的影响,给出了一......
