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首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量......
用铁电场效应晶体管（FeFET）作为存储单元的铁电存储器，具有结构简单、难以挥发、功耗很低、非破坏性读出、可多次反复读写、可高速大......
铁电场效应晶体管(Fe FET)作为铁电存储器中的一员,在现代电子工业有广阔的应用前景,尤其是在国防电子工业中很受重视,其具有高存......
铁电场效应晶体管(FeFET)由于具有非挥发性、高存取速度、低功耗、强抗辐射能力等优点，在军工和国防工业有着广阔的应用前景。这其......
