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MM—HEMT材料相关论文
MBE生长InGaAs/n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料
在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类......
期刊
高电子迁移率晶体管
分子来外延
缓冲层
INGAAS
铟钙砷化合物
MM—HEMT材料
二维电子气迁移率
生长温度
HEMT
MBE
buffer
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