本论文通过优化行星式MOCVDGaN材料生长工艺以及GaN基LEDs外延结构设计，以提高GaN基LEDs材料特性和器件特性，包括亮度、电学性能等，取......

阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论，同时介绍了硅上外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前......