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阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论，同时介绍了硅上外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。
高速电子器件MOCVD材料的研究动态
【摘 要】
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阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论，同时介绍了硅上外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1994年3期
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