利用多通道量子数亏损理论(MQDT)研究了一价铟离子5sns1S0(n=6～20),5sns3S1(n=5～15)and 5snd1D1(n=5～14)的能级结构及寿命,分析了各通......

在多通道量子数亏损理论（MQDT）的基础上，对锅原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析，并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法，......

在多通道量子数亏损理论（MQDT）的基础上，利用已给出的用MQDT波函数统一计算高激发态寿命的方法，计算并预言了J＝1奇宇称两个Rydberg系列......

利用多通道量子亏损理论（MQDT）对现有的镉原子实验能级及寿命进行了分析,在此基础上,对镉原子J=2偶宇称的能谱采用一阀两通道模型,通......