由于In2O3 NFs中具有较高的载流子浓度[1]，以In2O3 NFs为有源层的场效应晶体管(FET)存在关态电流较高(5×10-7A)、开关比较小(103)......

本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和MgO两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备.结果......