【摘 要】
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本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和MgO两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备.结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减
【机 构】
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北京工业大学应用数理学院,北京,100124
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本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和MgO两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备.结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现Ga2O3薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从4.96eV到5.21eV;光致发光光谱实验结果表明Mg的掺杂导致PL峰值发生蓝移现象,且在473nm附近出现一个新的发光峰.
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