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采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的......
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采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。......
