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N超晶格势垒层相关论文
新结构GaN基HEMT材料及器件研究
由于GaN基材料具有宽的带隙、高的电子饱和迁移速度、耐高压、抗辐照、容易形成异质结构、具有大的自发极化效应,因此特别适合制备......
学位
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
N超晶格势垒层
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