n-GaAs是一种典型的半导体材料,广泛地应用于探测器和耿氏效应管等方面,于是n-GaAs的混沌研究对相关器件的制备和应用具有理论指导......

本文采用系综Monte Carlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作......

本文采用系综Monte Carlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作......