采用磁控溅射制备了NiFeCr（4．5nm）／NiFe（10nm）／MgO（4．0nm）／Ta（5．0nm）薄膜，并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高，400℃退火后......

NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比。制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的......