N型多孔硅相关论文
采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅（n-PS）;在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜（SEM）测试......
采用双槽电化学阳极蚀刻法制备了n型多孔硅,并用带积分球的光度分光计测试了多孔硅的光反射率.研究了蚀刻电流密度、蚀刻时间和HF......
通过背光照辅助电化学腐蚀的方法,在N型轻掺杂的（100）单晶硅上制备了多孔硅模板。模板孔端口呈类正方形结构,孔边长约为2μm,孔深约5......
