首次报导了光电导型混晶Ｓｉ－ｘＧｅｘ波导探测器。混晶Ｓｉ１－ｘＧｅｘ是在硅基ＳｉＯＮ／ＳｉＯ２／Ｓｉ上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经６５０℃退火３０ｍｉｎ得到的。探测器宽１０μｍ，长２ｍｍ。探测器加......