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PVT法SiC相关论文
PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)
研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为 ,以优化生长条件、获得高质量单晶。该研究是针对坩埚盖 (籽晶粘附于坩埚盖上 )和炉盖之间的......
期刊
单晶生长
PVT法SiC
晶体生长
坩埚盖
籽晶
石墨毡
辐射热阻
炉盖
孔形状
散热条件
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