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SF6+O2相关论文
SiC材料的NLD快速均匀刻蚀
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等......
期刊
磁中性环路放电(NLD)等离子体
刻蚀
碳化硅(SiC)
均匀性
SF6+O2
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