碳化硅(SiC)相关论文
第三代的煤催化气化和等离子体煤气化技术,相比二代、三代煤气化技术,提高了反应速率、提高了产物收率,环境友好,废弃物零排放,是......
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影......
研究了研削工艺中磨轮目数对被减薄碳化硅(SiC)表面和欧姆接触的影响,并基于减薄工艺和激光退火工艺成功制备出170 μm薄片SiC肖特......
利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI) SiC晶体生长.采用高温下通入HC1和H2的......
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法.先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面......
碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节.详细分析了当前国内外业界......
与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异......
采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HC1和H2的方法,有效降低了系统中N、B和A......
针对SiC功率金属半导体场效应晶体管如何在实现高性能的同时保证器件长期稳定的工作,从金属半导体接触、器件制造过程中的台阶控制......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料、通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒......
由于碳化硅(SiC)的材料特性,在极端温度下,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)相对传统硅基器件有突出优势。目前对S......
以Al2O3、Y2O3（质量比为2∶3）为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1 900~1 970℃3、0 MPa下热压制备SiC陶瓷。根据Archimedes原理测量烧......
高温高能离子注入机是宽禁带半导体SiC产业的关键设备，离子源直接影响整机的性能指标。为保证离子源的长寿命和大束流，针对SiC高温高......
随着光电子技术和微电子技术的快速发展,电子元器件逐渐向耐高温、耐高压、抗辐射、高频、大功率等极端工作环境方向发展,因此以碳......
半导体器件是电力电子行业发展的基础。作为第三代半导体器件的重要代表,碳化硅(SiC)基功率器件凭借其高击穿场强、高饱和电子迁移......
随着第一、二代半导体器件在材料本征能力方面的不足日益突显,第三代宽禁带半导体器件以其高频率、高耐压、高漂移度以及低电阻能......
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合......
利用凝胶注模成型工艺制备了1.5m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测......
光谱发射率标准参考材料作为光谱发射率量值传递的载体,主要用于校准各种光谱发射率测量装置,提高光谱发射率测量装置的准确度。介......
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等......
我国碳化硅(SiC)产能世界第一,但因冶炼方式粗放、行业排放标准缺失等原因,废气大量无组织排放,造成大气环境严重污染。使用半密闭......
随着空间光学技术的发展,传统反射镜材料已经不能满足空间光学系统的要求。碳化硅(SiC)材料以其较高的弹性模量,适中的密度,较小的......
本论文围绕丙烷、乙苯的氧化脱氢中新型催化材料的制备及其表征开展三部分工作。首先是高比表面的SiC的制备及其作为载体在丙烷氧......
近20年来,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件具有电气性能和热性能等方面的优势,正在成为硅器件的强力替代品。业界成......
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,......
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC......
世界的能源格局就是全球的竞争格局。乘用车作为重要的能源消费体,其能源使用路径的变更对国家战略有深远影响。车辆技术变革在我......
为发展低耗和环境友好的有机物降解技术，采用光催化还原制备微米级碳化硅（SiC）/石墨烯复合材料，XRD、FTIR、Raman光谱、XPS和SEM等手段......
作为第三代半导体的其中一种,碳化硅(SiC)具有带隙宽度大、电子迁移率高、临界击穿电场强及发光性能可调等良好的电学及光学性能。......
我国是碳化硅(SiC)生产大国,年产量约占世界总产量的 60%,碳化硅冶炼业也是中西部某些省份的支柱产业。但是,该产业的自动化水平低......
碳化硅(SiC)是第三代(宽禁带)半导体电子材料，SiC金属一半导体场效应管(MESFET)在高温、大功率、高频、抗辐射等领域有着广阔的应用......
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结......
介绍了一种由Si IGBT与SiC JBS组合封装的Si/SiC混合模块，利用SiC JBS单载流子器件没有反向恢复特性的特点，提升IGBT模块的特性。对S......
耐高温变换器在多电飞机、电动汽车和石油钻井等恶劣环境中具有十分重要的应用价值。碳化硅功率器件具有高结温工作能力、较低损耗......
