V-VI族化合物（V=Sb、Bi;VI=S、Se、Te）是一类窄带隙半导体材料（Eg=0.1-1.89 e V）,该类材料地球储量丰富、低毒、载流子寿命长和光吸收......

介绍利用气相诱导前驱体共还原方法制备了Sb2Se3一维纳米结构。利用XRD、EDS、FESEM和TEM等手段,研究了联氨、乙二胺、氨水等不同......