SiC石墨烯相关硕士博士期刊学术论文

碳化硅作为第三代新型半导体材料,具有硬度大、耐磨、抗腐蚀性强等良好的物理特性[1].尤其是3C-SiC的禁带宽度为2.4 eV,能响应可见......