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SiC单晶衬底相关论文
半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展
碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越......
期刊
SiC单晶衬底
微管密度
6英寸
半绝缘
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