SiGe异质结双极型晶体管相关论文
基于国内的0．18μmSiGeBiCMOS工艺，针对该工艺下SiGeHBTs功率器件击穿电压、工作频段的稳定性和最优负载阻抗值等方面的研究，给出了功......
众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温......
随着现今通信技术的迅猛发展,对半导体各类器件的要求日益增高,而且由于现今通信技术对高频带下高性能以及低成本的射频(RF)组件的......
