首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１．０～１．５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％，Ａｒ＾＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分......