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杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响
研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响。光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴......
期刊
自组织量子点
硅
杂质
砷化锢
均匀性
selforganized quantum dots
PL
Sidoping
InAs/GaAs.
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