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S型负阻-振荡特性相关论文

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了一种新型硅磁电负阻-振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的......

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MEMS S型负阻-振荡特性硅磁敏三极管雪崩倍增效应 MEMSnegative-resistance oscillations characteristic

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