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Te掺杂CdS相关论文
CdS微纳结构碲掺杂及表面氧化调控的光子学性质研究
硫化镉(CdS)的室温带隙为2.42 eV,是研究光与物质相互作用的重要半导体材料之一。同时,CdS具有较好的稳定性、理想的发光效率、较......
学位
Te掺杂CdS
表面氧化CdS
WGM微腔
表面声子
激子极化激元
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