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ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60meV，高于室温热能26meV，因而理论上室温下即会获得高效......
学位
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂......
