p型ZnO相关论文
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带（3.37eV）化合物半导体材料。具有较高的激子束缚能（室温下为60meV）和光增益系数320cm-1,是一种理想的短......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了Li、Na、K掺杂ZnO纤锌矿结构的晶格结构、电子结构(能带结构、态......
采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜.借助拉曼散射光谱、透射光谱和......
氧化锌(ZnO)是一种历史悠久的材料,由于其微观结构非中心对称,最初被预测可以应用于压电和非线性光学领域,又因为它在室温下具有宽......
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。自1997年首次在ZnO实现室温光泵浦紫外激光，ZnO材......
用射频溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出磷、镓共掺杂的ZnO薄膜,经过过真空退火薄膜可变为P型.射频溅射时所用ZnO靶中掺入的PO和GaO......
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学......
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段......
有效受主的温度;XPS能谱证明了Mn2+、N3-离子的掺入;在热退火作用下,部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位,形成N-Zn或N-Mn......
采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试......
氧化锌(ZnO)是一种历史悠久的材料,由于其微观结构非中心对称,最初被预测可以应用于压电和非线性光学领域,又因为它在室温下具有宽......
以ZnO和Sb2O3为前驱物,在5GPa、1100～1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO（记作ZnO：Sb）。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性......
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段......
采用原子层沉积技术（atomic layer deposition）在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下（500和700℃）进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得......
利用密度泛函理论平面波赝势法，结合广义梯度近似构建了纯净ZnO和空位ZnO的超晶胞模型，利用第一性原理进行计算。结果表明，纯净ZnO中O......
ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,由于其独特的性能,如高电子迁移率、广泛的激子结合能,是一种很有前途的光电器件材料;但因本征......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最......
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管（LED）.该LED在室温......
在石英玻璃衬底上以ZnO：In2O3粉末为靶材，采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO：In薄膜，继而对样品进行二次N离子注入掺......
ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3．37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优良的性......
利用全势缀加平面波方法计算了Mn和N共掺杂的P型ZnO的8种不同的位置构型.基于总能最低原理我们发现在没有空穴载流子的情况下,第四......
采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）法,在n-Si（001）衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜,其电阻率为44.18Ω.cm,空穴浓度为3.78&......
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用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO：Mn薄膜，继而进行N离子注入和退火处理，成功实现了ZnO薄膜的Mn—N两步法共......
ZnO是一种宽禁带半导体材料（3．37eV），具有许多优异的光电特性。但一般制备出的zno薄膜材料均呈N型导电，要实现zno在光电器件领域的广泛......
ZnO作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,激子束缚能高达60 meV,更容易实现高效率的激子型光发射和低阈值的受激发射,因而受到了广......
氧化锌(ZnO)是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,其室温下的禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,理论上可以实现室温下的紫......
ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体,其禁带宽度为3.37eV。由于ZnO的高激子束缚能（60meV）而备受关注。同时,由于ZnO单晶及薄膜制备工艺的......
氧化锌(Zn O)作为一种直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,有望在室温及更高温度下实现高效的激......
近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导......
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室......
氧化锌（ZnO）是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有......
利用超声雾化热分解法（USP），通过N-Al共掺的方法，制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射（XRD）和扫描电了显微镜分析了不同生长时间Z......
采用基于密度泛函理论的第一原理平面波超软赝势法,对六方纤锌矿结构ZnO晶体,Na、N分别掺杂ZnO晶体,Na、N共掺杂ZnO晶体的几何结构......
运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn......
采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处......
ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其晶体结构、晶格常数和禁带宽度都与GaN非常接近。ZnO最大的优势在于它的激子......
ZnO是一种直接宽带隙半导体光电材料,传统上,广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏元件、变阻器、透明电极等。室温下的禁带......
作为典型的宽禁带半导体材料之一,氧化锌(Zn O)抗辐射能力强、激子束缚能高等优异的性能使其在光电、铁磁、光敏等领域具备广阔的......
ZnO是一种多功能的化合物晶体材料，其特性决定了它在光电、压电、铁磁、气敏、光敏等领域具有广阔的应用前景，特别是作为蓝/紫外光电......
氧化锌（ZnO）是II-VI族直接宽禁带化合物半导体材料，呈六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是同为第三代半导体......
能源、材料和信息是新技术革命的先导,是现代文明的三大支柱。半导体材料是支撑现代信息社会的基石,也是新型能源开发和利用的重要......
学位
ZnO是一种具有优异特性的宽禁带半导体材料。由于ZnO在室温下为具有很高的激子束缚能(60meV)，高于其它宽禁带半导体材料（如GaN为21me......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,属于六方纤锌矿结构,（002）晶面的表面自由能最低,因而ZnO通常具有（002）取向性生长。ZnO在光电、压......
半导体材料是支撑现代信息社会的基石,也是新型能源开发和利用的重要基础。ZnO作为一种新型半导材料,因具有宽带隙、高激子束缚能,......
等离子体浸没注入(Plasma Immersion Ion Implantation, PⅢ)技术是一种新型的离子注入技术,由于其拥有非视线性的特点,被广泛应用......
作为直接宽禁带半导体,ZnO具有3.37eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能,被认为是制备紫外光电器件和激光器的理想材料。为了实现ZnO......
