VLS相关论文
目的:通过对外阴白斑熏洗方熏洗治疗VLS患者的疗效观察,以证实该治疗方法在改善用药后VLS患者临床症状和体征评分上的作用,同时观......
目的:对中国女性群体的阴道松弛症(vaginal laxitysyndrome,VLS)进行现况调查,分析探讨各因素与VLS之间的关系,为早期防治提供参考依......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Large scale SnO microhydrangeas are obtained successfully through thermally evaporating of SnO_2 powder wrapped by a fil......
针对当前公安院校的英语教学尚大多停留在EGP④基础英语教学的层面,不能很好地适应新时期培养公安复合型人才的时代需求这一局限性......
根据舰载垂直发射系统的结构特点,对其物理模型进行了简化,并通过采用Fluent软件求解三维、雷诺平均N-S方程的方法,利用k-ε二方程......
深入分析了影响GPS车载导航系统数据质量的各种误差 ,给出在不同阶段提高车载导航系统中数据质量的方法 ,最后提出用地图匹配算法......
研究导弹垂直发射装置中导向轨对导弹出筒时状态影响问题,并对导向轨进行改进设计。为了能够准确有效地获得导向轨作用力对导弹出......
阐明了所设计的二进制运动估计的VLSI硬件结构.首先介绍了MPEG-4形状编码中BME的基本原理,以及前人设计的一种DDBME结构;接着分析......
为了研究导弹垂直发射装置中导弹支脚和导轨配合间隙对发射影响,对其装配关系进行简化和数学建模,建立配合间隙参数与偏差角关系式......
介绍了MPEG-1 Layer 3(简称MP3)和AAC的音频解码器在ASIC上的VLSI实现,部分解码使用了软件来实现.整个ASIC利用USB传输,并为MP3和A......
基于IEEE802.16d协议物理层标准中的OFDM模式,设计了一个接收机ASIC。整个接收机设计通过算法和结构优化,采用模块复用和流水线技术,使......
文章讨论了空间模板卷积滤波算法在视频图像增强处理中的应用,给出了基于Laplacian算子模板卷积滤波算法的VLSI设计.并针对算法的......
提出一种有效的运动自适应去隔行算法。该算法通过对同极性的相邻场进行运动检测,把插值点所处的区域分为快速运动区域、慢速运动区......
采用物理气相沉积法,以纯铟粒为原料,在980℃下Si(100)基片上通过改变气流成分制备了一系列氧化锢纳米线,并采用扫描电子显微镜、X射线......
阵列LDPC码构造简单,又易于VLSI实现。文献[4]对其进行了改进,支持任意码长,称为大小兼容的阵列LDPC码(记为SC阵列LDPC码)。对于SC阵......
本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下......
在二语习得领域中关于词汇学习过程的研究——词汇学习策略研究(VLS)对于第二语言的词汇习得很有效。本研究计划以接受翻转课堂的......
这篇论文对小波变换技术及其VLSI实现架构进行了回顾与总结.重点讨论了离散小波变换及其快速算法--Mallat算法.然后对该算法的几种......
在山西耿庄金矿区含金隐爆角砾岩体的晶洞内,发现重晶石晶体中的晶须状ReS2-Fe(Ni、Co)S2,有直杆(线)状、串珠状、顶珠状、藕节状、蒲棒......
DAG- MAP是一个面向延迟优化的 FPGA工艺映射算法 ,其中的标记过程是该算法的核心 .文中对原算法中的标记过程进行了研究 ,提出了......
作为第三代半导体材料之一,碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,是高温、高频、......
变栅距衍射光栅(VLS)在像差校正等方面具有突出优点,采用不同的栅距变化规律的变栅距光栅具有不同的光谱特性,因而在众多的高技术......
通过简单化学气相反应法,在1300℃下合成出大量SiC纳米棒产物,着重研究了Fe催化条件下该SiC纳米棒的生长机制。采用数码相机、立式显......
柳工建立了SAP生产系统和经销商管理系统,可是缺失物流管理相应的功能,广西中信国际物流有限公司作为专业物流公司,在主要服务柳工......
纳米材料的可控制备是纳米材料科学研究的基础和核心,深刻理解纳米材料的生长机理,有助于合理和理性的设计和可控合成纳米材料。气......
直接碳燃料电池是一种使用富碳材料作为燃料的燃料电池。它将碳的化学能通过燃料电池直接转化为电能,其发电效率是燃煤热电站发电......
CdS是一类非常重要的II-VI半导体材料,由于其独特的性质可在太阳能电池、发光二极管、纳米激光、场效应晶体管、光电探测器、气体......
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SiC半导体材料是自第一代半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料,具有优异......
氮化镓(GaN)是一种具有优越化学性质和热稳定性的宽禁带半导体材料,这种材料及其相关器件能够工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可以......