采用射频反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射（XRD）、X线光电子能谱（XPS）分析方法研究了退火对Zn......

以Zr0.8Sn0.2TiO4（ZST）作为主配方,以w（WO3）=0.25%和w（ZnO）=1%作为改性剂,采用传统的固相法工艺,在烧结环节对其进行降温速率的研究。通......

硒化镉（CdSe）是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对......