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利用MOCVD技术在Si（111）衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料，1μm厚GaN外延层XRD（002）摇摆曲线半高宽573″,（102）摇摆曲线半高宽668″。通......
采用X射线衍射（XRD）技术，研究了55NiCrMoV7热作工具钢回火过程组织的演化规律。结果表明，随回火温度增加，残余奥氏体逐渐分解，回火碳化物......
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