Si衬底相关论文
Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触......
GaN基近紫外发光二极管（Light Emitting Diode,LED）具有体积小、功耗低、寿命长、无毒无害等诸多方面的优点,可广泛应用于生物医疗、......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
近年来,LED器件凭借其体积小、高效节能及使用寿命长等优点,广泛应用于背光照明、显示、阵列投影和道路照明等领域。然而经过多年......
随着科学技术的水平的提高,GaN基LED因为其性能好,发光效率高,寿命长且节能环保等优点,正在逐步进入百姓的生活中,并成为不可缺少......
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......
作为第三代半导体,氧化锌(ZnO)是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带系宽禁带半导体材料,其禁带宽度达到3.4eV,具有优异的短波长发光能力；激子......
自从1989年第一支具有pn结的蓝光发光二极管(LED)问世以来,LED发展已经超过60年。GaN基LED是市场的主力,主要的成员是蓝光和绿光LE......
近年来,GaN材料以其优异的光电性质和稳定的化学性质在光电信息技术领域越来越受到人们的关注。GaN材料是直接带隙半导体材料,具有......
环境友好型半导体材料硅化镁（Mg2Si）是一种窄带隙间接半导体材料。目前,微电子行业主要基于Si材料进行应用,在Si衬底上生长Mg2Si薄膜......
本文采用分子动力学方法，以Tersoff势作为Si、C原子间的相互作用势，对Si（001）清洁表面构型及SiC生长初期C原子的沉积机制进行了较为详......
金刚石是一种具有优异的热学、力学、光学和电学性能的特种功能材料，具有着非常广阔的应用前景。特别是80年代以来，化学气相沉积金刚......
室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了Z......
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微......
首次以ZnS为源,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生......
在经NH3 等离子体氮化的Si(10 0 )衬底上 ,用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层 ,经X射线衍射 (XRD)测量 ,......
用低压 MOCVD系统在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步生长方法 (改变 / 流量比 )在 3 0 0～ 4 0 0℃时外延生长了 Zn S单晶薄膜。随着衬......
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退......
在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)......
期刊
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si......
综述了碲镉汞分子束外延所用的si衬底的传统RCA清洗方法和改进的RCA清洗方法的机理、清洗特点和清洗局限.最后介绍了碲镉汞分子束......
利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668......
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe......
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对CaN外延层的应力、表面形貌......
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°~0.9°)的Si(111)衬底上生长了Ga N薄膜。采用高分辨X射线衍射(HRXRD......
本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）在Si（111）衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射（HRXRD）和Lehighton非接触面电阻测......
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨......
利用射频磁控溅射法在n型Si（100）衬底上沉积六方氮化硼薄膜（h-BN）,采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、......
采用RF磁控溅射方法在Si衬底上生长ZnO薄膜. XRD测量结果表明, ZnO薄膜为c轴择优取向生长的. 对ZnO薄膜进行了XPS深度剖析及测试. ......
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶......
以6H-SiC(0001)Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄......
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片．本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下......
用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN／InGaN多量子阱材料进行横断面测试，在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像（HRTEM）、电子衍射衬......
期刊
用透射电子显微镜（TEM）和x射线双晶衍射仪（DCXRD）对在Si（111）衬底上生长的InGaN／GaN多量子阱（MQW）LED外延材料的微结构进行了观察和分析．从TE......
在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点,由于三维量子限制效应的贡献,能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接......
文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性:(1)用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在......
本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备方法和专用设备，它以高纯镓和氮气作源泉物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活......
使用脉冲激光沉积（pulsed laser deposition,PLD）技术,采用两种不同纯度（99.5%和99.99%）的ZnO靶材,在p型Si衬底上制备了两种ZnO/Si薄膜......
首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积(CVD)技术生长出直径达φ50mm的大面积优质3C-SiC薄膜,表面光亮如镜.作者利用X-射线衍射、傅......
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形......
采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜.实验发现ZnCl2的浓度对ZnO......
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电......
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜，在室温下进行光致发光,测量，观察到明显的紫光发射（波长为402nm）......
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜.ZnO薄膜的质量通过X-射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(......
通过磁控溅射技术在Si（111）衬底上沉积Ga2O3／Co薄膜，然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收谱（FTIR）......
