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ZnO同质p-n结相关论文
ZnO薄膜的常压MOCVD生长及掺杂研究
氧化锌(ZnO)是一种重要的化合物半导体光电材料,它具有良好的物理特性:直接带隙能带结构、室温禁带宽度3.37eV、激子束缚能60meV,是制备......
学位
氧化锌
金属有机化学气相沉积
AZO薄膜
NH3掺杂
ZnO同质p-n结
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