ZnO基量子阱相关硕士博士期刊学术论文

ZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV。作为紫外发光和激光器件的候选材料，ZnO引起了广泛......