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ZnO异质结LED相关论文
锑掺杂ZnO纳米线和p-ZnO薄膜/n-Si异质结器件的制备及特性研究
ZnO是一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。因此,ZnO材料在制备电子器件及光电子器件......
学位
Sb掺杂
化学气相沉积
ZnO纳米线
ZnO异质结LED
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