ZnO纳米线相关论文
近年来触觉传感器作为智能电子设备中感知外部刺激信号的重要元件而受到了广泛的关注。在触觉传感器中信号的传递主要由电信号和光......
在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）光电探测器件中,存在光吸收、光电转......
近些年环境因素变得尤为严峻,在全球范围内产生了不可逆转的影响。为了实现人类社会长期可持续发展,以太阳能为代表的清洁可再生能......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
流体运输管道为全世界能源物资的高效运输做出了重要的贡献。为了保障管网的安全性和可靠性,流体运输管道检测也逐渐形成了由先进......
带电身体（将传感器与人体联接并整合来探测人体健康信息）由于其在未来健康监测的巨大应用潜力已经吸引了世界范围的研究关注,随着生......
本文以水热法制备了ZnO和MoO3纳米线（NWs）,并通过熔融共混法将其添加到聚丙烯树脂（PP）中,分别制备了ZnO NWs/PP复合材料和ZnO/MoO3/PP......
随着社会的快速发展,人们对于光源的要求也越来越高,更加高效、环保、安全的光源器件成为专家学者们的研究方向。氧化锌（ZnO）是一种......
全息存储技术因同时具备高密度、低能耗、高冗余度和抗干扰等特性,已成为信息存储的重要方式。发展性能优异的光敏感介质是构筑先......
利用Ar 等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明：随着......
采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种情况，及N原子掺入位置不同的情况......
The synthesis of zinc oxide (ZnO) nanowires is achieved by vapor phase transportation (VPT) method. The designed quartz ......
对于ZnO纳米结构来说,带隙较宽,激子束缚能较大,是纳米器件非常重要的组成部分,逐渐成为第三代半导体材料的热点研究材料。在本论......
氧化锌(ZnO)半导体因具有较大的禁带宽度(3.37 e V)和较高的激子束缚能,在蓝紫光、紫外等短波长光电子器件领域有巨大应用前景,有......
光探测技术无论在航天技术领域、军事活动领域还是日常生活领域都显示出广泛的应用前景。从探测器材料的合成和选择、结构的设计与......
太阳能来自于太阳辐射,相对于人类文明来说是无穷无尽的,是无任何环境污染的能源,是帮助人类缓解能源问题的有效途径之一。太阳能......
近年来,人们对高亮度、小型化、节能环保型LED的需求不断提升,其在显示照明等领域展现了巨大的应用潜力。在许多LED器件中,以应用G......
本文将传统的微电子片上制备工艺和纳米技术结合,在柔性聚合物衬底上合成横向桥接的ZnO纳米线,制备出大面阵、高均匀性和电学稳定......
学位
光电探测技术在国民经济领域有着广泛的应用。为适应不同波段的探测需求,制备具备宽谱探测能力、高响应能力且体积小、易于集成的......
光电探测器（PDs）作为应用在军事、科研工作以及国民生活中不可或缺的器件有着重要的作用。作为衡量PD的条件,要求其响应度要高、响应......
学位
采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜,然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电......
本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响......
掺杂是调控半导体性能的重要手段,然而对于纳米结构的掺杂一直是一个难题,是制约纳米结构应用的主要问题。在本实验中,通过原位化......
一维纳米材料具有许多独特的性能，成为制备场发射冷阴极的热门材料，从而获得了国内外大量研究人员的重视和关注。水热法制备ZnO纳米......
场致发射显示器(FED)是一种新型的平板显示器件,具有功耗低、高亮度、高分辨率、工作环境适应性好等优点。场发射阴极材料(FEA)是F......
具有纤锌矿结构的ZnO是一种直接宽带隙的n型半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.4eV，激子结合能高达60meV，这些独特的性质引起了人们......
光子晶体和低纳纳米材料是两类目前引起人们极大关注的新兴材料.基于这两类材料的独特性质及广阔的应用前景,该文研究了一系列新型......
ZnO是一种六方结构的直接宽带隙半导体材料，在室温下它的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，而且具有热稳定性高、对环境友好等优......
ZnO在新兴的纳电子学和光电子学中有潜在的应用，使其在纳米光电子器件、纳米传感器、光电子器件等方面拥有巨大的应用空间和潜力。......
随着能源危机和环境污染的加剧，清洁绿色、可再生的太阳能电池发电受到广泛的关注。目前，由于太阳能电池成本较高、效率较低等因素的......
ZnO是一种典型的半导体材料，具有禁带宽度大、激子束缚能高、热稳定性好、无毒无污染等优点。ZnO是一种良好的光电转换材料，也是目前......
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻......
以纯Zn和Zn中掺杂Ag为原料在相同条件下用物理热蒸发法分别制备ZnO纳米线,对两种纳米线进行了SEM分析,并将其作为气敏基料制成旁热......
通过化学气相沉积法用纯Zn和MnCl2粉末在硅基片上制备了Zn1?xMnxO纳米线.通过SEM,TEM,EDX和XRD观测了纳米线的形貌、结构和成分,用......
利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在nSi(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线。X射线衍射分析的结果表明,ZnO纳米线具有明显的......
在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置.测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S......
在水平放置的管式炉内,采用热蒸发Zn粉的方法,在铜箔上制备了大量的ZnO纳米线.利用X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜......
运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜,并利用肖特基型异质结的发光原理,构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱......
以多孔氧化铝膜为模板,电化学沉积出Zn纳米线,再通过高温氧化得到ZnO纳米线阵列。通过改变制备多孔氧化铝模板的工艺参数来改变模......
基于水热法在三维柔性碳布表面集成了有序ZnO纳米线阵列,之后将集成结构置于石英管式炉中,空气气氛中退火。高温条件下,碳布与空气......
以二氯化锌(ZnCl2·2H2O)、碳酸钠(Na2CO3)为前驱体,钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为钨源,采用水热法制备不同W掺杂浓度的ZnO纳米......
在草酸和硫酸电解液中分别制备了孔径为40nm和20nm左右的多孔氧化铝模板，用直流电化学沉积的方法，在模板孔洞内电解沉积Zn，对其进行高......
研究以贵金属Pd作为掺杂剂的ZnO纳米线敏感元件的乙醇气敏性能.采用水热法在叉指电极上直接制备出具有c轴取向的ZnO多晶纳米线.用S......
先采用水热法制备出氧化锌（ZnO）纳米线，然后以硝酸镍作为活性组分的前驱体盐，ZnO纳米线作为载体，采用等体积浸渍法制备出镍（Ni）／ZnO催化剂，......
采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线，以覆盖一层约5nm厚的Ag薄膜的单晶Si（001）为衬底，纳米线的生长遵循气-液-固（VLS）机理。对得到的样品......
用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60～300 K范围......
