ZnS纳米球相关论文
以碳纳米管层作为空间限制反应的模板,采用化学气相沉积法(CVD)生长ZnS纳米球.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验结果显示......
碳化硅是碳-硅键合的Ⅳ-Ⅳ族半导体,具有优异的物理性质,已被广泛应用于制造高温、高压和高频等极端条件下的半导体器件。此外,由......
以醋酸锌和硫代乙酰胺为原料,采用水热法制备了ZnS纳米球.利用XRD、SEM、UV-vis和IR等分析手段对硫化锌纳米球的形貌和晶相进行了......
采用简单的一步水热法合成了立方闪锌矿结构的ZnS纳米球,直径在50~100 nm.表面活性剂十二烷基磺酸钠作为模板,在ZnS纳米球的形成过......